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Transistor RF MRF182S – 30W, Da HF A 1000MHz, Effetto Campo (1 Pezzo)

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Descrizione

Transistor RF ad effetto campo, modello MRF182S.

Rapporto di mercato sui transistor a effetto di campo per uso generale 2030

Potenza 30W, frequenza da HF fino a 1000MHz.

I transistor di potenza LDMOS RF a elevata affidabilità di

Venduto singolarmente (1 pezzo).

Nuovo, senza marca specifica.

R.F. elettronica di Rota F.   tel

Ideale per amplificatori RF, ricetrasmettitori e apparecchiature di comunicazione.

Come trovare transistor ad effetto di campo alternativi utilizzando

Il codice MPN è MRF182S.

2 pc transistor ad effetto di capo (OSFET) P canale 60V 30A TO-252

Un componente per chi lavora con le alte frequenze.

Tranitor mofet con efecto de campo de potencia, MRF150 RF

Fai funzionare i tuoi circuiti radio con questo componente.


Caratteristiche e scheda tecnica

Caratteristiche principali

  • EAN2914510544429

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2026-11-07 | odckpa0