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GT30J122 Transistor IGBT Canale N TOSHIBA In Contenitore TO-3P - Nuovo Made In Japan

GT30J122 Transistor IGBT Canale N TOSHIBA In Contenitore TO-3P - Nuovo Made In Japan - Foto 3

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Descrizione

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Eccolo!

IGBT G15N120D to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor at ₹ 60/piece | IGBT Transistors in

Questo transistor IGBT a gate isolato, canale N, è in contenitore TO-3P ed è nuovo di zecca, prodotto in Giappone.

Perfetto per alimentatori, inverter o circuiti di potenza dove serve affidabilità e prestazioni.

La qualità TOSHIBA è garantita, e il componente è sigillato e mai usato.

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Caratteristiche e scheda tecnica

Caratteristiche principali

EAN0458154241594

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2026-10-11 | o6k9eze