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IRFD210 International Rectifier MOSFET A Canale N 200V 0,6A – HEXFET In Contenitore HEXDIP, Componente Originale

IRFD210 International Rectifier MOSFET A Canale N 200V 0,6A – HEXFET In Contenitore HEXDIP, Componente Originale - Foto 1
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Descrizione

Arriva un componente serio per i tuoi progetti di elettronica: il MOSFET IRFD210 di International Rectifier.

IRFD210 IR 200V 0.6A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP

Stiamo parlando di un transistor di potenza a canale N, con una tensione di 200V e una corrente di 0,6A, perfetto per alimentatori switching e circuiti di potenza.

IRFD210 datasheet - 200V Single N-channel HexFET Power MOSFET in a Hexdip

È racchiuso in un contenitore HEXDIP, quindi compatto ma robusto.

IRFD9110 IR 100V 0.7A Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP

Questo è un pezzo nuovo di zecca, ancora sigillato nella sua confezione originale.

Se stai riparando un alimentatore o costruendo un inverter, questo HEXFET fa al caso tuo.

IRFD210 IR 200V 0.6A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET In A HEXDIP

Non perdere tempo con imitazioni, qui hai la qualità originale IR.

IRFB4710 datasheet - 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET in a TO-220AB

Se hai dubbi su come integrarlo nel tuo progetto, chiedi pure!

IRF6217 datasheet - -150V Single P-channel HexFET Power MOSFET in a SO-8

Caratteristiche e scheda tecnica

Caratteristiche principali

  • EAN5933514054632

Recensioni

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2026-11-07 | 2kcxq15