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Transistor IGBT N-Channel RJP30H1DPD TO-252 – Renesas (High Speed Power Switching)

Transistor IGBT N-Channel RJP30H1DPD TO-252 – Renesas (High Speed Power Switching) - Foto 1
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Descrizione

Componenti elettronici di alta qualità!

RJP30H1DPD - RJP30H1 IGBT Transistor N-Channel High speed switching TO-252 - by AGS Electronics srl

Ecco un transistor IGBT N-Channel modello RJP30H1DPD (anche RJP30H1) prodotto da Renesas Technology.

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È contenuto in un package TO-252, ideale per applicazioni di commutazione di potenza ad alta velocità (high speed power switching).

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È nuovo, mai usato e nella sua confezione originale.

Jual RJP30H1 TO-252 N-channel IGBT High Speed Power Switching di Lapak

Perfetto per riparazioni o progetti fai-da-te in elettronica di potenza.

996166_4

Se cerchi affidabilità e prestazioni, questo Renesas è quello che fa per te.

Rjp30h1 Transistor at Best Price in Shenzhen, Guangdong

Caratteristiche e scheda tecnica

Caratteristiche principali

  • EAN4375315599225

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2026-11-07 | lw25j4u