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Transistor RFP2N08L RCA GE Power FET 2A - Semiconduttore In DIP Nuovo

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Descrizione

Smanettoni e riparatori elettronici, ecco un transistor di potenza RFP2N08L, prodotto da RCA GE.

MRF236 SILICON NPN TRANSISTOR DI POTENZA RF

È un FET (Field Effect Transistor) da 2A, in contenitore DIP.

Aexit Transistor al silicio triodo 8W 12V a semiconduttore da 8 pin 12V ID: 768082

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Caratteristiche e scheda tecnica

Caratteristiche principali

  • EAN8616020001105

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2026-10-12 | opw13bi